~{JGR 8vQ IzWwR5SC5D2V?bD#DbO5M3~} ~{3v?b~} ~{Hk?b~} ~{2iQ/5H9&D\~} ~{?IRTWw@)3d~} ~{TZ~}JDK1.4.2~{OBM(9}~}
上傳時間： 2015-02-22
上傳用戶：ommshaggar
b to b 模式 電子商務(wù)系統(tǒng) ，c# 開發(fā) , B/S結(jié)構(gòu)
標(biāo)簽： to 模式 電子商務(wù)系統(tǒng)
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：hanli8870
樣板 B 樹 ( B - tree ) 規(guī)則 : (1) 每個節(jié)點內(nèi)元素個數(shù)在 [MIN,2*MIN] 之間, 但根節(jié)點元素個數(shù)為 [1,2*MIN] (2) 節(jié)點內(nèi)元素由小排到大, 元素不重複 (3) 每個節(jié)點內(nèi)的指標(biāo)個數(shù)為元素個數(shù)加一 (4) 第 i 個指標(biāo)所指向的子節(jié)點內(nèi)的所有元素值皆小於父節(jié)點的第 i 個元素 (5) B 樹內(nèi)的所有末端節(jié)點深度一樣
上傳時間： 2017-05-14
上傳用戶：日光微瀾
歐幾里德算法：輾轉(zhuǎn)求余 原理: gcd(a,b)=gcd(b,a mod b) 當(dāng)b為0時,兩數(shù)的最大公約數(shù)即為a getchar()會接受前一個scanf的回車符
標(biāo)簽： gcd getchar scanf mod
上傳時間： 2014-01-10
上傳用戶：2467478207
數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)課程設(shè)計 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)B+樹 B+ tree Library
標(biāo)簽： Library tree 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu) 樹
上傳時間： 2013-12-31
上傳用戶：semi1981
* 高斯列主元素消去法求解矩陣方程AX=B,其中A是N*N的矩陣,B是N*M矩陣 * 輸入: n----方陣A的行數(shù) * a----矩陣A * m----矩陣B的列數(shù) * b----矩陣B * 輸出: det----矩陣A的行列式值 * a----A消元后的上三角矩陣 * b----矩陣方程的解X
上傳時間： 2015-07-26
上傳用戶：xauthu
(1) 、用下述兩條具體規(guī)則和規(guī)則形式實現(xiàn).設(shè)大寫字母表示魔王語言的詞匯 小寫字母表示人的語言詞匯 希臘字母表示可以用大寫字母或小寫字母代換的變量.魔王語言可含人的詞匯. (2) 、B→tAdA A→sae (3) 、將魔王語言B(ehnxgz)B解釋成人的語言.每個字母對應(yīng)下列的語言.
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：ayfeixiao
1.有三根桿子A,B,C。A桿上有若干碟子 2.每次移動一塊碟子,小的只能疊在大的上面 3.把所有碟子從A桿全部移到C桿上 經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，漢諾塔的破解很簡單，就是按照移動規(guī)則向一個方向移動金片： 如3階漢諾塔的移動：A→C,A→B,C→B,A→C,B→A,B→C,A→C 此外，漢諾塔問題也是程序設(shè)計中的經(jīng)典遞歸問題
標(biāo)簽： 移動 發(fā)現(xiàn)
上傳時間： 2016-07-25
上傳用戶：gxrui1991
1. 下列說法正確的是 （ ） A. Java語言不區(qū)分大小寫 B. Java程序以類為基本單位 C. JVM為Java虛擬機JVM的英文縮寫 D. 運行Java程序需要先安裝JDK 2. 下列說法中錯誤的是 ( ) A. Java語言是編譯執(zhí)行的 B. Java中使用了多進程技術(shù) C. Java的單行注視以//開頭 D. Java語言具有很高的安全性 3. 下面不屬于Java語言特點的一項是( ) A. 安全性 B. 分布式 C. 移植性 D. 編譯執(zhí)行 4. 下列語句中，正確的項是 ( ) A . int $e,a,b=10 B. char c,d=’a’ C. float e=0.0d D. double c=0.0f
上傳時間： 2017-01-04
上傳用戶：netwolf
GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GaN devices have also been developed for RF wireless applications where they can replace Silicon transistors in some selected systems. That incursion in the RF field has open the door to the power switching capability in the lower frequency range and thus to the power electronic applications. Compared to Silicon, GaN exhibits largely better figures for most of the key specifications: Electric field, energy gap, electron mobility and melting point. Intrinsically, GaN could offer better performance than Silicon in terms of: breakdown voltage, switching frequency and Overall systems efficiency.
標(biāo)簽： GaN-on-Si Displace and SiC Si
上傳時間： 2020-06-07
上傳用戶：shancjb
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